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晶体及光电子器件  
TGG晶体
编辑时间:2012-3-27 11:28:25 来源:本站 作者:济南金曼顿自动化技术有限公司 浏览次数:4062次

TGG(Tb3Ga5O12)单晶是用于制作法拉第旋光器与隔离器的最佳磁光材料,适用波长400-1100nm(不包括470nm-500nm)。法拉第旋光器是由TGG晶棒和一个特殊设计的磁体组成。穿过TGG单晶的光束的偏振方向将在磁场作用下发生偏转,其偏转方向只与磁场方向有关,与光束传播方向无关。光隔离器由一个45度偏转的旋光器和一对适当放置的偏振器组成,它使光束仅能沿一个方向通过,而阻断反向传播的光束。  
优点:TGG单晶具有大的磁光常数、低的光损失、高热导性和高激光损伤阈值,广泛应用于YAG、掺Ti蓝宝石等多级放大、环型、种子注入激光器中。 
TGG 晶体参数 
化 学 式: Tb3Ga5O12 
晶体结构: Cubic Garnet 
晶格常数: a=12.355Å 
生长方法: 提拉法 
密    度: 7.13g/cm3 
莫氏硬度: 8.0 
熔    点: 1725℃ 
折 射 率: 1.954 at 1064nm 
热 导 率: 9.410-6℃-1 
维德尔常数: 40rad/(T·m) at 1064nm 
晶体标准规格 
定向精度: [111] within 5 degrees 
波前畸变:<λ/8 wave total 
消 光 比A:>30dB  B:>28dB 
尺寸公差 
直    径: +0.00mm/-0.05mm 
长    度:+0.2mm/-0.2mm 
倒    角: 0.13mm(+0.00mm,-0.08mm) at 45°±5° 
其他参数 
平 面 度: <λ/10 wave at 633nm 
通光面平行度<1 弧分 
垂 直 度:<5 弧分 
表面光洁度:10-5 per MIL-O13830A

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